substrats de place adaptés aux besoins du client par 5x5mm de 10x10mm sic, 1inch sic gaufrettes, puces sic en cristal, sic substrats de semi-conducteur, gaufrette de 6H-N SIC, gaufrette de carbure de silicium de grande pureté
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nous matériaux de semi-conducteur d'offres, particulièrement pour sic la gaufrette, sic le sous-état du polytype 4H et le 6H dans différentes classes de qualité pour des fabricants de chercheur et d'industrie. Nous a de bonnes relations avec l'usine de cristallogénèse sic et, nous possédons a également sic la technologie transformatrice de gaufrette, a établi une chaîne de production au substrat et sic à la gaufrette de fabricant sic. En tant que société professionnelle investie par les principaux fabricants des champs des instituts matériels avancés et de pointe de recherches et d'état et du laboratoire du semi-conducteur de la Chine, nous sommes consacrés pour améliorer sans interruption la qualité sic de la gaufrette, actuellement sous-états et pour développer les substrats de grande taille.
Domaines d'application
diodes de Schottky d'appareils électroniques de 1 puissance à haute fréquence et élevée, JFET, BJT, PiN,
diodes, IGBT, transistor MOSFET
2 dispositifs optoélectroniques : principalement utilisé en GaN/matériel sic bleu de substrat de LED (GaN/sic) LED
Advantagement
• Basse disparité de trellis• Courant ascendant élevé conductivité
• Consommation de puissance faible
• Excellentes caractéristiques passagères
• Espace de bande élevé
taille 2inch commune pour sic des substrats
spécifications de substrat de carbure de silicium du diamètre 2inch (sic) | ||||||||||
Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||||||
Diamètre | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
Épaisseur | 330 μm±25μm ou 430±25um ou 1000um±25um | |||||||||
Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers <1120> ±0.5° pour 4H-N/4H-SI sur l'axe : <0001> ±0.5° pour 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densité de Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Longueur plate primaire | 18,5 mm±2.0 millimètre | |||||||||
Longueur plate secondaire | 10.0mm±2.0 millimètre | |||||||||
Orientation plate secondaire | Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal | |||||||||
Exclusion de bord | 1 millimètre | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||||
Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | |||||||
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤3% | |||||||
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | |||||||
Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||||||
puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |||||||
taille d'image : 10x10x0.5mmt,
tolérance : ±0.03mm
largeur de la profondeur x de match : 0.4mmx0.5mm
TYPE : 4H-semi
surface : poli (ssp ou dsp)
Ra : 0.5nm
1. Q : Quel est votre paquet ? Sont-ils sûrs ?
: nous fournissons la boîte automatique de film d'adsorption comme paquet.
2.Q : Quel est votre terme de paiement ?
: Notre terme de paiement est T/T 50% à l'avance, 50% avant la livraison.
3.Q : Comment est-ce que je peux obtenir quelques échantillons ?
: Becauce a adapté des produits aux besoins du client de forme, nous espèrent que vous pouvez commander le sort minimum comme échantillon.
4.Q : Combien de temps temps pouvons-nous obtenir les échantillons ?
: Nous envoyons les échantillons dans 10 - pendant 25 jours après que vous confirmez.
5.Q : Comment votre usine va-t-elle concernant le contrôle de qualité ?
: La qualité est d'abord notre devise, travailleurs attachent toujours la grande importance pour la qualité commandant de
le début même à la fin.
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