Substrats de ZnO, petite gaufrette carrée d'oxyde de zinc de 5X5mm, substrats de 5x5mm ZnO dans différentes orientations, monocristal de ZnO.
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De l'oxyde de zinc (ZnO) peut être développé comme semi-conducteur de monocristal avec les propriétés très intéressantes.
Le bandgap est dans la gamme de 3,4 eV qui le rend attrayant pour plusieurs des applications bleues et violettes
dans l'optoélectronique aussi bien que des dispositifs UV. Il est disponible en vrac, en gaufrettes de jusqu'à 2 pouces,
ce qui lui donne un avantage important par rapport à la nitrure de gallium et à d'autres nitrures du groupe III.
ZnO a également le potentiel de devenir le matériel de substrat du choix pour GaN. Comme GaN il a une structure de wurtzite, avec des constantes de trellis étroitement assorties à GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO est exactement
le trellis s'est assorti à InGaN avec un 22% dans le contenu. Peut-être avant tout c'est un matériel conforme mou
cela est cru à probablement et peut prendre l'effort de trellis de préférence à la couche croissante de GaN.
Il souffre de l'inconvénient qu'il dissocie en ammoniaque aux températures au-dessus de 600°C. Avec son bandgap large, l'oxyde de zinc a pu s'avérer très utile dans des applications optiques aussi bien que beaucoup l'électronique à grande vitesse.
ZnO peut également être employé comme substrat pour la croissance épitaxiale.
Application :
Description en cristal de substrateProduct d'oxyde de zinc (ZnO) : Le substrat en cristal d'oxyde de zinc (ZnO) est très utilisé dedans
Substrat épitaxial de GaN (LED bleue), dispositifs se reliants de large bande et d'autres champs. Paramètres techniques
Propriétés générales
Pureté % poids | > 99,99 |
Impureté : % poids | Magnésium : <> |
Fe : < 0=""> | |
Crystal Structure | Hexagonal : å de l'a= 3,252, c = å 5,207 |
Méthode de croissance | Hydrothermique |
Dureté | échelle de 4 moh |
Densité | 5,7 g/cm3 |
Point de fonte | OC 1975 |
La chaleur spécifique | 0,125 cal/gm |
Constante thermoélectrique | 1200 système mv /oK @ 300 OC |
Conduction thermique | 0,006 oks de cal/cm/ |
Dilatation thermique | 2,90 x 10-6/oK |
Chaîne de transmission | 0.4 - 0,6 m > 50% à 2 millimètres |
Densité de dislocation | <0001> avion <100>2 |
Caractéristiques pour la gaufrette
Orientation | <11-20>± 0,5o ou orientation faite sur commande |
Surface polie | EPI a poli d'un côté, Ra < 5=""> |
Taille standard | 5 x 5 millimètres |
Épaisseur | 0,5 millimètres |
FAQ –
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(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-20pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques
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