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Coupe au laser pour les matériaux à densité de carbure de silicium (SiC)
  • Coupe au laser pour les matériaux à densité de carbure de silicium (SiC)
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Coupe au laser pour les matériaux à densité de carbure de silicium (SiC)

Lieu d'origine Chine
Nom de marque ZMSH
Numéro de modèle Substrat SiC
Détails de produit
Surface:
Si-face CMP ; Face C Mp ;
Voltage de rupture:
5,5 MV/cm
Densité:
3.21 G/cm3
Conductivité thermique:
4,9 W/mK
Constante diélectrique:
9,7
Résistance:
0,015 ~ 0,028 ohm.cm ; Ou >1E7ohm.cm ;
Dureté de surface:
HT0,3>2500
Dopant:
N/A
Description de produit

Coupe au laser pour les matériaux à densité de carbure de silicium (SiC)

Description du produit:

Notre substrat SiC est disponible en plaques sic de forme personnalisée, avec des tailles standard de 10x10mm et 5x5mm, ainsi que des puces sic de taille personnalisée pour répondre à vos besoins spécifiques.Le substrat SiC est conçu pour fournir une conductivité thermique maximale, ce qui le rend parfait pour une utilisation dans les appareils électroniques de haute puissance.

Le substrat SiC est exempt de dopants, ce qui le rend idéal pour la recherche et le développement de nouveaux appareils électroniques.Le substrat est hautement stable et peut résister à des environnements à haute température et haute tension., ce qui le rend parfait pour une utilisation dans des conditions difficiles.

Dans l'ensemble, notre substrat SiC est un substrat fiable et de haute qualité qui peut être utilisé dans une variété d'applications électroniques.en combinaison avec sa haute conductivité thermique et sa stabilité, en faire un atout précieux dans le développement d'appareils électroniques de haute puissance.

 

Caractéristiques:

  • Nom du produit: SiC Substrate
  • Voltage de rupture: 5,5 MV/cm
  • Résistance à la traction: > 400 MPa
  • Coefficient de dilatation thermique: 4,5 x 10-6/K
  • Constante diélectrique: 9.7
  • Surface: CMP à face en Si; Mp à face en C

Applications:

ZMSH SIC010 SiC Substrate est un substrat de haute qualité fabriqué à partir de 4H-Semi HPSI Sic Wafer. Il est fabriqué en Chine avec un contrôle de qualité strict et est certifié ROHS.Le substrat est disponible en 0La rugosité de surface du substrat est de Ra< 0,5 nm,assurer une grande précision et une grande précision dans le produit final.

Le substrat SiC ZMSH SIC010 est un choix populaire pour diverses industries, y compris l'industrie des semi-conducteurs, où il est utilisé comme substrat pour la croissance des couches épitaxiennes.Il est également utilisé en électronique de puissanceLa haute dureté de surface du substrat de HV0,3>2500 le rend idéal pour les applications nécessitant une durabilité et une résilience élevées.

Le ZMSH SIC010 SiC Substrate est disponible à l'achat par cas, avec une quantité minimale de commande de 10 pièces.Le délai de livraison est de 30 jours., et les conditions de paiement sont T/T. La capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois, ce qui garantit que les clients peuvent toujours obtenir le substrat dont ils ont besoin quand ils en ont besoin.

Dans l'ensemble, le substrat SiC ZMSH SIC010 est un excellent choix pour tous ceux qui recherchent un substrat de haute qualité pour leurs applications.et sa polyvalence le rendent adapté à un large éventail d'occasions et de scénarios.. Que vous ayez besoin d'une gaufre Sic 4H-Semi HPSI, d'un substrat de 1x1 cm ou d'un substrat de 0,5x0,5 mm, le substrat SiC ZMSH SIC010 est le choix parfait pour vos besoins.

 

Personnalisation:

  • Nom de marque: ZMSH
  • Numéro de modèle: substrat SIC
  • Nom de l'établissement:
  • Quantité minimale de commande: 10pc
  • Prix: par cas
  • Détails de l'emballage: boîte en plastique sur mesure
  • Délai de livraison: 2-4 semaines
  • Conditions de paiement: T/T
  • Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces par mois
  • Roughness de surface: Ra<0,5 nm
  • Conductivité thermique: 4,9 W/mK
  • Type de substrat: substrat
  • Pour les produits à base de plantes:
  • Disponible en plaques de taille personnalisée: 1 x 1 cm,0.5x0.5 mm
    • Des plaques SiC de forme personnalisée sont disponibles
  • Tailles disponibles: 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces
 

Emballage et expédition

Emballage du produit:

Le produit à base de substrat SiC sera emballé en toute sécurité dans une boîte en carton avec des inserts en mousse afin d'éviter tout dommage pendant le transport.Chaque substrat sera enveloppé individuellement dans un matériau antistatique pour protéger contre les décharges électrostatiquesLa boîte sera également étiquetée avec le nom du produit, la quantité et les instructions de manutention nécessaires.

Expédition du produit:

Le produit à base de substrat SiC sera expédié par un service de messagerie de bonne réputation, le mode d'expédition dépendant de l'emplacement et des préférences du client.Les clients recevront un numéro de suivi pour suivre l'avancement de leur expédition.Les délais de livraison varient selon la destination, mais les clients peuvent s'attendre à ce que leur commande arrive dans les 7 à 10 jours ouvrables.

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86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
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