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Substrate SiC à haute température et à haute électronique Applications Substrate de plaquette épitaxienne
  • Substrate SiC à haute température et à haute électronique Applications Substrate de plaquette épitaxienne
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Substrate SiC à haute température et à haute électronique Applications Substrate de plaquette épitaxienne

Lieu d'origine Chine
Nom de marque ZMSH
Certification rohs
Numéro de modèle Substrat SiC
Détails de produit
Surface:
Si-face CMP ; Face C Mp ;
Conductivité thermique:
4,9 W/mK
taille:
Personnalisé
Dopant:
N/A
Voltage de rupture:
5,5 MV/cm
Densité:
3.21 G/cm3
Résistance à la compression:
>1000MPa
Dureté de surface:
HT0,3>2500
Description de produit

Substrate SiC à haute température et à haute électronique Applications Substrate de plaquette épitaxienne

Description du produit:

Le substrat SiC a également une rugosité de surface de Ra < 0,5 nm, ce qui est essentiel pour les applications nécessitant une grande précision.y compris l'électroniqueLe substrat a une résistance à la traction de > 400 MPa, ce qui le rend très durable et capable de résister à des niveaux élevés de stress.

Le substrat SiC a une densité de 3,21 G/cm3, ce qui est idéal pour les applications nécessitant un matériau léger.Le substrat est également disponible en plaques de silicone sur mesure., ce qui le rend adapté à diverses applications.

En résumé, le substrat SiC est un produit de haute qualité offrant une excellente conductivité thermique, une dureté de surface et une résistance à la traction.Son poids léger et sa personnalisation le rendent idéal pour diverses applications dans différentes industries.

 

Caractéristiques:

  • Nom du produit: SiC Substrate
  • Surface: CMP à face en Si; Mp à face en C;
  • Roughness de surface: Ra<0,5 nm
  • Densité: 3,21 G/cm3
  • Dureté de surface: HV0,3>2500
  • Constante diélectrique: 9.7
 

Applications:

Le matériau de substrat SiC a un coefficient d'expansion thermique de 4,5 X 10-6 / K et est un type de substrat haute performance.Le matériau utilisé est le monocristal SiC., qui est un matériau de haute qualité connu pour sa durabilité et sa résistance.

Ces plaquettes de carbure de silicium sont idéales pour une variété d'applications, y compris les appareils électroniques, l'éclairage LED et l'électronique de puissance.d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm,Le substrat peut être personnalisé pour s'adapter à des formes et tailles spécifiques, ce qui en fait un produit polyvalent pour une gamme d'industries.

Si vous avez besoin de plaques sic de forme personnalisée, ZMSH SIC010 est la solution idéale.Que vous ayez besoin d'une petite ou d'une grande quantité, ZMSH SIC010 peut vous fournir le produit dont vous avez besoin à un prix compétitif.

 

Personnalisation:

Services de personnalisation des produits de substrat de ZMSH SIC:

  • Nom de marque: ZMSH
  • Numéro de modèle: SIC010
  • Nom de l'établissement:
  • Certification: ROHS
  • Quantité minimale de commande: 10pc
  • Prix: par cas
  • Détails de l'emballage: boîte en plastique sur mesure
  • Délai de livraison: 2 à 4 semaines
  • Conditions de paiement: T/T
  • Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces par mois
  • Surface: CMP à face en Si; Mp à face en C;
  • Tailles disponibles: 0,5x0,5 mm; 1x1 mm; 5x5 mm; 10x10 mm
  • Résistance à la compression: > 1000 MPa
  • Résistance à la traction: > 400 MPa
  • Densité: 3,21 G/cm3

Nous offrons des services de découpe laser et de taille personnalisée de plaquettes SiC.

 

Emballage et expédition

Emballage du produit:

Le produit à base de SiC sera emballé en toute sécurité dans un récipient en plastique dur pour éviter tout dommage lors de l'expédition.et toutes les instructions de manutention nécessaires.

Pour la navigation:

Le produit à base de substrat SiC sera expédié par un transporteur de confiance, tel que UPS ou FedEx, afin d'assurer une livraison sûre et rapide.Les frais d'expédition seront calculés en fonction de la destination et du poids du colisLes clients peuvent suivre leurs commandes en utilisant le numéro de suivi fourni.

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86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
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