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Option de substrat de carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haute qualité
  • Option de substrat de carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haute qualité
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  • Option de substrat de carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haute qualité

Option de substrat de carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haute qualité

Lieu d'origine Chine
Nom de marque ZMSH
Numéro de modèle Substrate à base de carbure de silicium (SiC)
Détails de produit
Résistance à la compression:
>1000MPa
Type de substrat:
Substrate à base de carbure de silicium (SiC)
Roughness de la surface:
Ra<0.5nm
Résistance à la traction:
>400MPa
Densité:
3.21 G/cm3
Matériel:
Monocristal SiC
Description de produit

Option de substrat de carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haute qualité

Description du produit:

Ce produit est exempt de dopants, ce qui le rend idéal pour un large éventail d'applications.Nous offrons des plaques de taille personnalisée avec des formes personnalisées pour répondre à vos besoins spécifiquesVous pouvez avoir la tranquillité d'esprit en sachant que nos substrats SiC dépasseront vos attentes.

Nos substrats SiC ont une conductivité thermique de 4,9 W/mK, ce qui les rend très efficaces pour dissiper la chaleur.La surchauffe peut endommager des composants délicats.Avec nos substrats SiC, vous pouvez être sûr que vos appareils resteront frais même sous une utilisation intensive.

La rugosité de surface de nos substrats SiC est de Ra<0,5 nm, assurant une surface lisse et uniforme.où même les plus petites imperfections peuvent avoir un impact négatif sur les performances de l'appareilAvec nos substrats SiC, vous pouvez être sûr que vos appareils seront de la plus haute qualité.

Nos substrats SiC ont un coefficient de dilatation thermique de 4,5 x 10-6/K. Cela les rend très stables et résistants aux changements de température.vous pouvez être sûr que vos appareils conserveront leurs performances même dans des conditions extrêmes.

Dans notre entreprise, nous comprenons que chaque projet est unique. C'est pourquoi nous offrons des plaques de taille personnalisée avec des formes personnalisées pour répondre à vos besoins spécifiques.une plaque rectangulaire ou une grande plaque, une de forme irrégulière, nous pouvons livrer le substrat SiC dont vous avez besoin.

En conclusion, notre produit SiC Substrate est le choix idéal pour tous ceux qui recherchent des plaquettes de carbure de silicium fiables et de haute performance.une conductivité thermique de 4.9 W/mK, une rugosité de surface de Ra<0.5 nm et un coefficient de dilatation thermique de 4.5 X 10-6/K, nos substrats SiC offrent des performances de premier ordre même dans les applications les plus exigeantes.Contactez-nous aujourd'hui pour en savoir plus sur nos plaques de taille personnalisée et les formes personnalisées.

 

Caractéristiques:

  • Nom du produit: SiC Substrate
  • Surfaces: SPD
  • Waffles au carbure de silicium: Waffles SIC 4H-N, CMP à face Si, Mp à face C
  • Roughness de surface: Ra < 0,5 nm
  • Résistance:0.015~0.028 ohm.cm, ou >1E7 ohm.cm
  • Conductivité thermique: 4,9 W/mK
  • Surface plate: λ/10@632,8 nm
 

Applications:

La constante diélectrique de ZMSH SIC010 est de 9.7Le coefficient de dilatation thermique est de 4,5 X 10-6/K. Ces attributs en font un produit fiable pour diverses applications.

Le ZMSH SIC010 peut être utilisé dans différentes occasions et scénarios. Il convient à la découpe laser sic, qui est un processus qui utilise un laser pour couper divers matériaux, y compris les substrats SiC.Ce produit est parfait pour cette application en raison de sa haute résistance à la compression et de son coefficient de dilatation thermique.

La taille de ce produit peut être personnalisée selon les exigences du client. Il peut être utilisé dans la fabrication de 1x1cm ou 0,5x0,5mm de substrats SiC.Les plaquettes HPSI sic de 4h peuvent être fabriquées à l'aide de ZMSH SIC010Ce type de plaquette a un niveau de pureté élevé et est utilisé dans la production de dispositifs électroniques tels que des appareils électriques, des capteurs et des LED.

 

Personnalisation:

Nous offrons des puces sic de taille personnalisée pour répondre à vos besoins spécifiques. Nos plaquettes 4H-N SIC sont également disponibles pour la personnalisation. Contactez-nous dès aujourd'hui pour discuter de vos exigences de personnalisation.

Emballage et expédition

Emballage du produit:

  • Le substrat SiC sera emballé dans une boîte en carton solide pour assurer un transport sûr.
  • Le substrat sera placé dans un récipient en plastique afin d'éviter tout dommage lors du transport.
  • Le contenant sera étiqueté avec le nom et le code du produit, ainsi que les instructions de manutention.

Pour la navigation:

  • Le substrat SiC sera expédié par un service de messagerie fiable afin d'assurer une livraison en temps opportun.
  • Le substrat sera correctement étiqueté avec toutes les informations nécessaires pour l'expédition, y compris l'adresse et les coordonnées du destinataire.
  • Toute documentation douanière nécessaire sera accompagnée de l'expédition.
  • Les clients recevront un numéro de suivi pour suivre l'avancement de leur expédition.

Contactez-nous à tout moment

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
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